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硅基半导体自旋量子比特实现超快调控
科技日报讯 （记者吴长锋）记者5月7日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队郭国平教授、李海欧教授等人与国内同行以及本源量子计算有限公司合作，在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控，以及自旋翻转速率超过1.2GHz的自旋量子比特超快操控，该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值，对提升自旋量子比特的品质具有重要的指导意义。研究成果日前在线发表在国际期刊《纳米通信》上。 硅基半导体自旋量子比特以其长量子退相干时间和高操控保真度，以及其与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展...